數億元!思銳智能完成融資

作者 | 發布日期 2024 年 03 月 01 日 17:26 | 分類 企業

2月29日,青島四方思銳智能技術有限公司(以下簡稱:思銳智能)宣布完成數億元B輪融資。

本輪融資由上汽集團戰略直投、尚頎資本和鼎暉投資聯合領投;招商局創投、上海金浦、新鼎資本、創新工場、華控基金、青創投等知名投資者跟投;海松資本、海澳芯科、鑫芯創投、珩創投資、同歌創投等老股東持續加持。

圖源:拍信網正版圖庫

據悉,思銳智能聚焦關鍵半導體前道工藝設備的研發、生產和銷售,提供具有自主可控的核心關鍵技術的系統裝備產品和技術服務方案,目前已形成“雙主業”布局,產品包括原子層沉積(ALD)設備及離子注入(IMP)設備,可廣泛應用于集成電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等諸多高精尖領域。

其中,離子注入是半導體器件和集成電路生產的關鍵工藝之一,可大幅度提高集成電路的成品率。我國已經初步實現了低能大束流和中束流離子注入機的研制,但是技術難度最高的高能離子注入機始終被海外企業壟斷。

思銳智能于2021年開啟離子注入設備的研發攻關,最終于2023年成功研制出國內首臺能量達到8MeV(兆電子伏特)的高能離子注入機,該設備可應用于功率器件、IGBT、CMOS圖像傳感器、5G射頻、邏輯芯片等集成電路主要器件的制備,現已成功交付國內頭部企業。

原子層沉積方面,思銳智能于2018年完成對ALD技術發源地——芬蘭倍耐克公司100%股權的收購工作。2023年7月,思銳智能宣布與英諾賽科簽訂ALD設備采購協議,思銳智能需為英諾賽科供應用于氮化鎵半導體晶圓制造前道工藝的Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備,支持其8英寸硅基氮化鎵晶圓產線的擴充。

據悉,Transform系列量產型ALD沉積鍍膜設備可支持配置多個ALD工藝模塊,兼容熱法及等離子體功能,可為應對不斷增長的產能和新的應用而進行升級,目前已進入歐洲、北美、日本和中國大陸及臺灣地區知名廠商,并實現重復訂單。(集邦化合物半導體 Winter整理)

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