聚焦SiC襯底,半導體材料大廠達成2項重要合作

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 23 日 18:20 | 分類 企業

近日,半導體材料大廠Soitec與兩家企業展開SiC領域合作。

Tokai Carbon將為Soitec供應多晶6 & 8英寸SiC襯底

5月22日,Soitec宣布,公司與碳和石墨產品綜合制造商Tokai Carbon已建立戰略合作伙伴關系,共同開發和供應專為 Soitec SmartSiC晶圓設計的多晶碳化硅(SiC)襯底。

source:SoitecSoitec指出,SiC是一種顛覆性的化合物半導體,SmartSiC工程襯底通過提供卓越的制造和成本效率以及改善的環境足跡,加速了碳化硅在電動汽車、工業和智能電網應用中的采用。

通過此次合作,Tokai Carbon將向 Soitec 供應 150 mm(6英寸)和 200 mm(8英寸)多晶SiC晶圓,兩家公司將利用其先進的研發能力來增強SmartSi生態系統。Tokai Carbon在多晶碳化硅(polySiC)方面的先進技術和制造能力,以及 Soitec對符合 Soitec SmartSiC 的多晶碳化硅粗晶圓規格的使用權相結合,預計將為全球SmartSiC晶圓產量的提升做出戰略貢獻。

據悉,SmartSiC是基于該公司SmartCut工藝的專有Soitec技術。在該工藝中,高質量單晶(mono-SiC)“供體”晶圓的薄層被分離并粘合到低電阻率多晶(poly-SiC)“柄”晶圓上,由此產生的襯底可提高器件性能和制造良率。該工藝允許對單個供體晶圓進行多次重復使用,從而顯著降低成本和相關的二氧化碳排放。

Soitec將為X-FAB提供SmartSiC晶圓

同日,Soitec還宣布已與SiC晶圓代工龍頭 X-FAB合作。Soitec將為X-FAB位于美國得克薩斯州拉伯克的工廠提供SmartSiC晶圓 ,用于生產SiC功率器件。

Soitec表示,此次合作是在成功完成評估階段之后進行的,在評估階段,SiC功率器件在X-FAB德克薩斯州工廠的150mm(6英寸)? SmartSiC 晶圓上制造。Soitec將通過聯合供應鏈委托模式,為 X-FAB 的客戶提供獲得 SmartSiC襯底的便捷途徑。

在這個快速增長的市場中,Soitec正在其位于格勒諾布爾(法國)附近的伯寧新工廠提高SmartSiC襯底的產量。X-FAB正在增加拉伯克工廠的SiC器件產能。SmartSiC襯底的使用能讓X-FAB的客戶能夠設計出更小的器件,從而通過增加每個晶圓的芯片數量來提高效率。

值得一提的是,Soitec日前公布了2024財年第四季度營收及全年業績。2024年第四季度收入達到3.37億歐元,與創紀錄的23年第四季度相比,按固定匯率計算下降了2%。2024財年收入為9.78億歐元,按固定匯率和周長以及報告基準計算均下降了10%,符合預期。2024財年凈利潤達到1.78億歐元,利潤率為18%。

針對SiC領域,Soitec表示,與前幾個季度相比, 公司用于未來幾代電動汽車的 SmartSiC技術在24財年第四季度產生的收入貢獻進一步增加,但同比略有下降,這是因為 Soitec 在 23 財年同季度公司收到了與意法半導體(STMicroelectronics)合作協議的首期付款。

Soitec表示,公司的SmartSiC路線圖在技術、工業、供應和商業等各個方面都進展順利。今年2月,Soitec公司又獲得了第二家客戶。Soitec公司專門生產SmartSiC襯底的新工廠預計將于25財年下半年投產。(集邦化合物半導體Morty編譯)

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