計劃7倍擴產,英諾賽科開啟港股IPO

作者 | 發布日期 2024 年 06 月 13 日 19:14 | 分類 企業

6月12日晚間,英諾賽科向港交所遞交上市申請,聯席保薦人為中金公司、招銀國際。

2023年營收增長335.2%

自2019年10月,OPPO Reno Ace首次將氮化鎵技術應用于充電器以來,基于氮化鎵材料而研制的功率器件,憑借更高的電流密度、遷移率以及優秀的耐熱性、導電性和散熱性,在諸多應用領域持續開疆拓土。

2023年,氮化鎵的發展逐漸進入繁榮期。雖受限于技術水平,應用領域仍以消費電子為主,但其在電動車、工業、數據中心等更高功率市場的應用也正穩定發展,未來前景十分值得期待。

圖源:英諾賽科招股說明書

目前,氮化鎵正在從6英寸轉向8英寸,而英諾賽科作為氮化鎵領域的“實力派”選手,一直備受矚目。

據悉,英諾賽科是國內第一家氮化鎵IDM企業。招股說明書中,英諾賽科表示,公司是全球首家實現量產8英寸硅基氮化鎵晶圓的公司,亦是全球唯一具備產業規模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產品的公司。英諾賽科的產品包括分立器件(覆蓋15V至1,200V)、集成電路、晶圓及模塊,應用領域涵蓋消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心等。

產能方面,截至2023年底,公司的產能達10,000片/月,同時良率高于95%,位居行業前列。

高產能、高良率的產品線是英諾賽科業績的基石。截至2023年12月31日,以折算氮化鎵分立器件計,英諾賽科累計出貨量超過5億顆,營業收入則從2021年的0.68億元增加99.7%至2022年的1.36億元,并進一步增加335.2%至2023年的5.93億元。

英諾賽科還指出,2023年來自氮化鎵功率器件業務的營收為人民幣5.93億元,在全球所有氮化鎵功率器件公司中,公司排名首位,市場份額為33.7%。

本次申請港股上市,英諾賽科計劃將IPO募集所得資金凈額用于以下項目:

1、50.0%用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能(從截至2023年12月31日的每月10,000片晶圓擴大至未來五年每月70,000片晶圓)、購買及升級生產設備及機器及招聘生產人員。

2、17.0%用于償還銀行貸款;

3、15.0%用于研發及擴大產品組合,以提高終端市場(如消費電子、可再生能源及工業應用、汽車電子及數據中心)中氮化鎵產品的滲透率;

4、8.0%用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡;

5、10.0%用于營運資金及其他一般公司用途。

中國企業狂奔

目前,氮化鎵的主要創新主體仍以國際企業為主,并主要集中在歐美日,但中國的氮化鎵產業鏈也在持續完善。

技術方面,北京大學團隊研發了增強型p型柵氮化鎵(GaN)晶體管,并首次在高達4500V工作電壓下實現低動態電阻工作能力;

西安電子科技大學聯合致能科技于4月份展示了全球首片8英寸藍寶石基氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMTs)晶圓器件,通過調控外延工藝,其氮化鎵外延片不均勻性控制在4%以內,所制備的HEMTs器件的cp測試良率超過95%,擊穿電壓突破了2000V。

項目方面,2024年1月份,晶湛半導體氮化鎵外延片生產擴建項目正式竣工。項目預計年產6英寸氮化鎵外延片12萬片,8英寸氮化鎵外延片12萬片;

中瓷電子子公司博威第三代半導體功率器件產業化項目已建成并投入使用,項目主要產品為氮化鎵通信基站射頻芯片與器件等產品,產能規劃為600萬只/年;

能華半導體張家港制造中心(二期)項目于4月18日開工建設。項目投產后,將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。

從外延到功率器件的設計及制造,國內企業持續提升研發及生產、制造能力。TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示,全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金,復合增長率高達65%。而在這個市場,中國企業將不會缺席。(文:集邦化合物半導體 Winter)

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