Author Archives: huang, Mia

美國碳化硅晶圓激光加工企業獲8000萬美元融資

作者 |發布日期 2024 年 07 月 16 日 16:55 | 分類 企業
7月15日,碳化硅激光加工公司Halo Industries,Inc.宣布,公司在超額認購的B輪融資中籌集了高達8000萬美元(折合人民幣約5.81億元)的資金。 本輪融資由美國創新技術基金(USIT)牽頭,8VC、SAIC跟投。該筆資金將幫助Halo Industries擴大其...  [詳內文]

2家碳化硅設備廠商新項目簽約落地

作者 |發布日期 2024 年 07 月 16 日 15:32 | 分類 企業
近日,又有2家碳化硅設備廠商新項目簽約落地。 01、帝爾激光總部暨研發生產基地三期項目落戶武漢 7月9日,東湖高新區與武漢帝爾激光科技股份有限公司(下文簡稱“帝爾激光”)舉辦簽約儀式,帝爾激光總部暨研發生產基地三期項目落戶光谷。 source:光谷融媒體中心 目前,帝爾激光已在...  [詳內文]

130um,全球最薄碳化硅晶圓片問世

作者 |發布日期 2024 年 07 月 12 日 17:20 | 分類 功率
江蘇通用半導體有限公司(原:河南通用智能裝備有限公司,下文簡稱“通用半導體”)7月12日披露,公司于2024年7月10日用自研設備(碳化硅晶錠激光剝離設備)成功實現剝離出130um厚度超薄SiC晶 8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設備(source:通用半導體) 資料顯示,通用...  [詳內文]

重振半導體芯片產業,8家日企“抱團”

作者 |發布日期 2024 年 07 月 11 日 13:43 | 分類 企業
為重振本國半導體芯片產業,近年來日本推出了包括資金補貼在內的多項措施。而根據日媒報道,日本多家企業將投資5萬億日元(約309.6億美元)發展半導體業務。 據日經亞洲7月8日報道,因看好AI人工智能、電動車(EV)、減碳市場的前景,搶奪市場商機,索尼、三菱電機、羅姆、東芝、鎧俠、瑞...  [詳內文]

931萬,BlusGlass出售GaN專利給歐洲晶圓開發商

作者 |發布日期 2024 年 07 月 11 日 13:41 | 分類 企業
近日,半導體開發商BluGlass Limited宣布,通過轉讓專用晶圓上的氮化鎵(GaN)生長技術相關知識產權(IP)給代工客戶,公司已從一家歐洲晶圓開發商手中獲得了128萬美元(折合人民幣約931萬元)轉讓費。 圖片source:拍信網 基于一項有償開發合同,自2022年1...  [詳內文]

18臺碳化硅整線濕法設備,創微微電子再次中標

作者 |發布日期 2024 年 07 月 10 日 14:07 | 分類 功率
7月9日,光伏設備大廠捷佳偉創宣布,繼4月份半導體碳化硅整線濕法設備訂單并完成合同簽署后,近日公司子公司創微微電子(常州)有限公司(以下簡稱:創微微電子)再次斬獲另一家半導體頭部企業整線濕法設備訂單,目前已完成合同簽訂工作。 據介紹,此次簽訂的合同標的位于該客戶新產業園的碳化硅產...  [詳內文]

上海新一代化合物半導體研制基地項目通過竣工驗收

作者 |發布日期 2024 年 07 月 10 日 14:05 | 分類 功率
據中建八局消息,近日,公司承建的新一代化合物半導體研制基地項目已竣工,并通過了驗收。 source:中建八局 項目位于上海臨港新片區總建筑面積約5.8萬平方米,總投資11.6億元,由生產廠房及其配套設施等6個單體構成,著力打造國內領先、國際一流的紅外探測器研發與生產基地。項目主...  [詳內文]

EPC四項涉訴專利均已進入無效審查階段,英諾賽科掌握主動權

作者 |發布日期 2024 年 07 月 10 日 14:03 | 分類 企業
近年來,第三代半導體技術,尤其是氮化鎵(GaN)領域的快速發展,吸引了全球科技巨頭的關注與競爭。在這場技術革命中,中國領軍企業英諾賽科與美國知名企業宜普(EPC)之間的專利糾紛成為業界焦點。 對此,英諾賽科發表聲明稱,目前針對EPC的四項涉訴專利提起的IPR(Inter part...  [詳內文]

青禾晶元獲超3億元融資,加速鍵合技術產品擴產步伐

作者 |發布日期 2024 年 07 月 09 日 17:02 | 分類 企業
半導體異質集成技術企業北京青禾晶元半導體科技有限責任公司(下稱“青禾晶元”或“公司”)宣布完成最新一輪融資,融資金額超3億元。投資方包括深創投、遠致星火、芯朋微,老股東正為資本、芯動能、天創資本繼續加持。 圖片來源:青禾晶元 該輪融資將被用于先進鍵合設備及鍵合襯底產線建設。青禾...  [詳內文]

天岳先進、天域半導體等碳化硅大廠迎最新動態

作者 |發布日期 2024 年 07 月 08 日 13:54 | 分類 功率
今年以來,國內外碳化硅大廠動態交織,深刻體現行業從6英寸過渡到8英寸的加速步伐。 據外媒消息,意法半導體(ST)近日表示,將從明年第三季度開始將其碳化硅(SiC)功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。 中國某頭部大廠生產負責人在近日接受全球半導體觀察時表示,預計從2026年至2...  [詳內文]